收藏本站
NTMFD4901NF
TYPICAL CHARACTERISTICS ? Q2
50
60
45
40
3.4 V
3.2 V
4.5 V
T J = 25 ° C
3.0 V
50
V DS ≥ 5 V
35
10 V
40
30
25
20
15
10
5
0
2.8 V
V GS = 2.4 V
30
20
10
0
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0.020
0.015
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. On?Region Characteristics
I D = 10 A
T J = 25 ° C
0.0040
0.0035
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 14. Transfer Characteristics
0.0030
V GS = 4.5 V
0.010
0.0025
0.0020
0.005
0.0015
V GS = 10 V
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.0010
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
1.8
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 15. On?Resistance vs. Gate?to?Source
Resistance
I D = 20 A
1E?2
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 16. On?Resistance vs. Drain Current
and Gate Voltage
1.6
1.4
1.2
V GS = 10 V
1E?3
1E?4
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
1.0
1E?5
0.8
0.6
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
1E?6
0
5
10
T J = 25 ° C
15
20
V GS = 0 V
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 17. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
9
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 18. Drain?to?Source Leakage Current
vs. Voltage
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTMFS4108NT1G MOSFET N-CHAN 22A 30V SO-8FL
NTMFS4119NT1G MOSFET N-CHAN 18A 30V SO-8FL
NTMFS4120NT1G MOSFET N-CHAN 18A 30V SO-8FL
NTMFS4121NT1G MOSFET N-CHAN 17A 30V SO-8FL
NTMFS4122NT1G MOSFET N-CHAN 14A 30V SO-8FL
NTMFS4701NT3G MOSFET N-CH 12.3A 30V SO8 FL
NTMFS4707NT3G MOSFET N-CH 30V 6.9A SO8 FL
NTMFS4708NT3G MOSFET N-CH 30V 7.8A SO8 FL
相关代理商/技术参数
NTMFD4901NFT3G 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8DFN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
NTMFD4902NFT1G 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFD4902NFT3G 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8DFN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
NTMFD4952NFT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO - Tape and Reel
NTMFD4952NFT3G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO - Tape and Reel
NTMFD4C20NT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET SO8FL 30V - Tape and Reel
NTMFD4C20NT3G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET SO8FL 30V - Tape and Reel
NTMFD4C50NT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET SO8FL 30V - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / NFET SO8FL 30V